牙膏的挤法也有讲究！英特尔公布全新CPU封装工艺

在旧金山举办的SEMICON West大会上，英特尔发布了一套全新的封装技术以及相应的基础工具，他们将嵌入式多芯片互连桥接EMIB与Foveros 3D封装技术结合运用，并推出了全方位互联（ODI, Omni-Directional Interconnect）技术。这意味着混合制成芯片又再次向前迈进了一步，同一块芯片能够以更低廉的成本创造出更多性能、功能和价值。

通过这项技术，英特尔希望将芯片和小芯片封装在一起，达到单晶片系统级芯片的性能。使之能够在新的多元化模块中将各种IP和制程技术与不同的内存和I/O单元混搭起来。

由于英特尔的垂直集成结构在异构集成的时代独具优势，他们能够对架构、制程和封装同时进行优化，从而交付领先的产品。

封装不仅仅是制造过程的最后一步，它正在成为产品创新的催化剂。先进的封装技术能够集成多种制程工艺的计算引擎，实现类似于单晶片的性能，但其平台范围远远超过单晶片集成的晶片尺寸限制。这些技术将大大提高产品级性能和功效，缩小面积，同时对系统架构进行全面改造。

混合制成封装被看成未来趋势之一，通过先进制成（例如10纳米）核心与高产量制成（例如22纳米）核心，可以加快产品的推进周期。同时，英特尔也是业内第一个做到完整3D封装通用方案的厂商。

在SEMICON West大会上，英特尔分享了三项新技术，分别是：

Co-EMIB：英特尔的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）2D封装和Foveros 3D封装技术利用高密度的互连技术，实现高带宽、低功耗，并实现相当有竞争力的I/O密度。而英特尔的全新Co-EMIB技术能将更高的计算性能和能力连接起来。Co-EMIB能够让两个或多个Foveros元件互连，基本达到单晶片性能。设计师们还能够以非常高的带宽和非常低的功耗连接模拟器、内存和其他模块。

ODI：英特尔的全新全方位互连技术（ODI）为封装中小芯片之间的全方位互连通信提供了更大的灵活性。顶部芯片可以像EMIB技术下一样与其他小芯片进行水平通信，同时还可以像Foveros技术下一样，通过硅通孔（TSV）与下面的底部裸片进行垂直通信。ODI利用大的垂直通孔直接从封装基板向顶部裸片供电，这种大通孔比传统的硅通孔大得多，其电阻更低，因而可提供更稳定的电力传输，同时通过堆叠实现更高带宽和更低时延。同时，这种方法减少了基底晶片中所需的硅通孔数量，为有源晶体管释放了更多的面积，并优化了裸片的尺寸。

MDIO：基于其高级接口总线（AIB）物理层互连技术，英特尔发布了一项名为MDIO的全新裸片间接口技术。MDIO技术支持对小芯片IP模块库的模块化系统设计，能够提供更高能效，实现AIB技术两倍以上的响应速度和带宽密度。