三星宣布12nm DDR5内存已开始量产：功耗骤降23％
wccftech消息，三星电子官方于近日宣布，旗下采用12nm级工艺的DDR5 DRAM内存芯片已经开始量产。
新内存单颗容量16Gb(2GB)，最高速度为7.2Gbps，功耗比上代降低了23％，晶圆生产率提高了20％。
三星称12nm级工艺的开发基于一种新型高K材料，可提高电池电容，使数据信号出现明显的电位差，同时在降低工作电压与降噪方面取得了新的成果。
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