美国EDA率先进军2nm时代:功耗降低30%
时间:2023-05-17 06:03:28 来源:互联网 编辑: 浏览:次
导读 : 在台积电的技术论坛会议上,美国新思科技(Synopsys)也宣布跟台积电达成了合作,在后者的N2工艺上实现了数字及定制设计EDA流程,率先进入了2nm时代。新思提到,与N3工艺相比,台积电的2nm工艺在相同功率下可提升15%的性能,相同速度下可降低30%的功耗,同时还提高了芯片密度。新思科技新一代...
在台积电的技术论坛会议上,美国新思科技(Synopsys)也宣布跟台积电达成了合作,在后者的N2工艺上实现了数字及定制设计EDA流程,率先进入了2nm时代。
新思提到,与N3工艺相比,台积电的2nm工艺在相同功率下可提升15%的性能,相同速度下可降低30%的功耗,同时还提高了芯片密度。
新思科技新一代EDA投入了大量资源,可以让芯片设计人员快速启动2nm芯片设计,不仅为芯片带来差异化,同时还能缩短芯片上市时间。
台积电的2nm工艺要到2025年才能量产,提前准备好EDA工具有助于客户快速导入2nm芯片设计,新思与台积电的合作也是台积电每次都率先量产新工艺并获得大量客户的关键之一。
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